本申请提供了一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法，吸热体由基材以及设置在基材的外表面上的膜层构成，膜层包括6层，从下到上依次为氧化铬材质的强化膜、铜材质的低发射率膜、氮化铬材质的缓冲膜、氮氧化铬、氮化铬以及氧化铬的混合物材质的过渡膜、氧化铬材质的吸收膜、二氧化硅材质的抗反射膜，其中强化膜、缓冲膜、过渡膜、吸收膜以及抗反射膜均为通过反应性溅就镀制备得到，铜材质的低发射率膜为通过直流溅镀制备得到；撞击出来的铜离子沉积在步骤1)制得的强化膜的外表面上形成低发射率膜。北京上打光太阳光谱模拟

可选地，根据拍摄时刻和地理经度，计算拍摄时刻的太阳时角，包括：根据ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)计算太阳时角，其中，t为拍摄时刻，ω(x，t)为坐标为(x，y)的像素点在t时刻对应的太阳时角。可选地，根据太阳赤纬角、太阳时角和地理纬度，计算拍摄时刻的太阳高度角，包括：根据α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)]，计算太阳高度角α(x，y，d，t)。可选地，根据太阳高度角和拍摄位置高程，计算相对大气光学质量，包括：根据其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))处的海拔高度，r(α，z)为相对大气光学质量。内蒙古下打光太阳光谱模拟报价堆栈式电池就像是太阳光筛子，每层的特制材料吸收特定波长**的能量。

为了得到高质量的化合物薄膜，通常在溅镀金属靶时，通入与被溅射出的物质反应的气体，相互反应生成所需的化合物沉积在基材上，此种溅镀系统称为反应性溅镀。如果所通入的气体含量刚好足够与溅射出的原子进行反应，使得在靶材表面甚少形成化合物，则有利溅射的进行。相反地，如果通入过量的气体，则不仅在基材上与溅射出的原子进行反应，也会在靶面上与靶材反应生成化合物。因此，如何提高吸热体的基材的外表面上的薄膜对太阳热能的吸收，提高光热转换的效率，是本领域技术人员急需解决的技术问题。技术实现要素：

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。本发明实施例提出一种用于地球静止轨道卫星光学遥感图像的太阳光照补偿值方法，该方法通过地球静止轨道卫星光学遥感图像尺寸、地理经度区间、地理纬度区间、拍摄日期、拍摄时刻及拍摄位置高程，计算拍摄时刻的太阳赤纬角、太阳时角、太阳高度角、太阳辐射强度、大气光学质量、直射辐射大气透明度系数、直接辐射强度、散射辐射大气透明度系数、散射辐射强度、太阳总辐照强度，实现对于不同日期、不同时间、不同地点拍摄的地球静止轨道卫星光学遥感图像的太阳光照补偿值计算。由于其尺寸很小——小于1平方毫米，因此可以有效地开发具有更复杂材料的太阳能电池。

1)反应性溅镀制备强化膜：在***真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氧气发生化学反应生成氧化铬，反应生成的氧化铬沉积在吸热体的基材的外表面上形成强化膜；步骤1)中，吸热体的基材为不锈钢片；步骤1)中，靶材为铬靶，功率为9kw，电压为500v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为120sccm，氧气流量为80sccm，制得的强化膜的厚度为70nm；膜厚是根据工艺要求可调整的；2)溅镀制备低发射率膜：在第二真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铜离子沉积在步骤1)制得的强化膜的外表面上形成低发射率膜；相反地，如果通入过量的气体，则不仅在基材上与溅射出的原子进行反应，也会在靶面上与靶材反应生成化合物。山西销售太阳光谱模拟购买

本申请制备的膜层的发射率为3％～5％，比现有技术中膜层的发射率降低了3％～12％。北京上打光太阳光谱模拟

该仪器能够快速显示实时光谱，因此有可能找到具有***多普勒频移的望远镜位置，同时在这些位置记录更长的曝光光谱，提高信噪比。下图所示的铁谱线相隔约5pm，因为这些光谱不是在太阳圆盘的末端拍摄的。太阳自转引起的两条夫琅和费铁线（相对于未移动的氧线）多普勒频移的测量。在左边的图表中，红色和蓝色的线是HF-8989-3光谱仪的实验数据，当时太阳圆盘的图像通过输入光纤移动到光谱仪（从一个边缘到另一个边缘）。每个实验光谱的曝光时间<1秒。北京上打光太阳光谱模拟

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